
Propriétés et dispositifs semi-conducteurs de Neamen
Description
indice
CHAPITRE 1 Structure cristalline des solides
CHAPITRE 2 Introduction à la mécanique quantique
CHAPITRE 3 Introduction à la théorie quantique de l'état solide
CHAPITRE 4 Semiconducteurs à l'équilibre
CHAPITRE 5 Phénomène de transmission porteuse
CHAPITRE 6 Porteurs en excès hors équilibre dans les semi-conducteurs
CHAPITRE 7 Jonction PN
CHAPITRE 8 Diode à jonction PN
CHAPITRE 9 Hétérojonctions métal-semiconducteur et hétérojonctions semiconducteur
CHAPITRE 10 PRINCIPES DE BASE DES MOSFET
CHAPITRE 11 CONCEPTS SUPPLÉMENTAIRES RELATIFS AUX MOSFET
CHAPITRE 12 TRANSISTORS BIPOLAIRES
CHAPITRE 13 Transistors à effet de champ à jonction
CHAPITRE 14 DISPOSITIFS OPTIQUES
CHAPITRE 15 Semiconducteurs Ultra-haute fréquence et sources d'énergie
CHAPITRE 2 Introduction à la mécanique quantique
CHAPITRE 3 Introduction à la théorie quantique de l'état solide
CHAPITRE 4 Semiconducteurs à l'équilibre
CHAPITRE 5 Phénomène de transmission porteuse
CHAPITRE 6 Porteurs en excès hors équilibre dans les semi-conducteurs
CHAPITRE 7 Jonction PN
CHAPITRE 8 Diode à jonction PN
CHAPITRE 9 Hétérojonctions métal-semiconducteur et hétérojonctions semiconducteur
CHAPITRE 10 PRINCIPES DE BASE DES MOSFET
CHAPITRE 11 CONCEPTS SUPPLÉMENTAIRES RELATIFS AUX MOSFET
CHAPITRE 12 TRANSISTORS BIPOLAIRES
CHAPITRE 13 Transistors à effet de champ à jonction
CHAPITRE 14 DISPOSITIFS OPTIQUES
CHAPITRE 15 Semiconducteurs Ultra-haute fréquence et sources d'énergie
SPÉCIFICATIONS DES PRODUITS
- Date de publication : 8 juillet 2019
Nombre de pages, poids, dimensions : 751 pages | 210 × 297 × 40 mm
- ISBN13 : 9788960552432
- ISBN 10 : 8960552437
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Langue coréenne
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